DMP4015SK3Q-13 MOSFET P-Ch Enh Mode FET
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | Diodes Incorporated |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | TO-252-3 |
| Transistor polaritet: | P-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 40 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 35 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 11 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,5 V |
| Qg - Gatelading: | 47,5 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 3,5 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Kvalifikasjon: | AEC-Q101 |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | Diodes Incorporated |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 137,9 nS |
| Foroverkonduktans - Min: | 26 S |
| Høyde: | 2,39 mm |
| Lengde: | 6,7 mm |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 10 ns |
| Serie: | DMP4015 |
| Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 P-kanal |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 302,7 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 13,2 ns |
| Bredde: | 6,2 mm |
| Enhetsvekt: | 0,011640 oz |
♠ DMP4015SK3Q P-CHANNEL ENHANCEMENT MODUS MOSFET
• Etui: TO252 (DPAK)
• Kassemateriale: støpt plast, "grønn" støpemasse.UL brennbarhetsklassifisering 94V-0
• Fuktighetsfølsomhet: Nivå 1 per J-STD-020
• Terminaltilkoblinger: Se diagram
• Terminaler: Finish—Matt Tin Finish glødet over kobber blyramme.Loddebar i henhold til MIL-STD-202, metode 208
• Vekt: 0,33 gram (omtrentlig)
• 100 % uklemt induktiv bryter (UIS) test i produksjon
• Lav på-motstand
• Rask byttehastighet
• Blyfri finish;RoHS-kompatibel (merknad 1 og 2)
• Halogen- og antimonfri."Grønn" enhet (merknad 3)
• DMP4015SK3Q er egnet for bilapplikasjoner som krever spesifikk endringskontroll;denne delen er AEC-Q101-kvalifisert, PPAP-kompatibel og produsert i IATF 16949-sertifiserte anlegg.
Denne MOSFET-en er designet for å møte de strenge kravene til bilapplikasjoner.Den er kvalifisert til AEC-Q101, støttet av en PPAP, og er ideell for bruk i:
• DC-DC-omformere
• Strømstyringsfunksjoner
• Bakgrunnsbelysning
