IPC70N04S5L4R2ATMA1 MOSFET MOSFET_(20V,40V)
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | Infineon |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | TDSON-8 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 40 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 70 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 3,4 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,2 V |
| Qg - Gatelading: | 30 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 175 C |
| Pd - Effekttap: | 50 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Kvalifikasjon: | AEC-Q101 |
| Handelsnavn: | OptiMOS |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | Infineon teknologier |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 6 ns |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 2 ns |
| Serie: | N-kanal |
| Fabrikkpakkemengde: | 5000 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 11 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 3 ns |
| Del # Aliaser: | IPC70N04S5L-4R2 SP001418126 |
| Enhetsvekt: | 0,003927 oz |
• OptiMOS™ – kraft-MOSFET for bilapplikasjoner
• N-kanal – Forbedringsmodus – Logisk nivå
• AEC Q101-kvalifisert
• MSL1 opp til 260°C topp reflow
• 175°C driftstemperatur
• Grønt produkt (RoHS-kompatibelt)
• 100 % skredtestet
