IXFA22N65X2 MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
♠ Produktbeskrivelse
Produktattributt | Attributtverdi |
Produsent: | IXYS |
Produktkategori: | MOSFET |
Teknologi: | Si |
Monteringsstil: | SMD/SMT |
Pakke / Etui: | TO-263-3 |
Transistorpolaritet: | N-kanal |
Antall kanaler: | 1 kanal |
Vds - Gjennombruddsspenning for avløpskilde: | 650 V |
Id - Kontinuerlig dreneringsstrøm: | 22 A |
Rds på - Motstand mot drenkilde: | 160 mOhm |
Vgs - Gate-Source-spenning: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source terskelspenning: | 2,7 V |
Qg - Gate-ladning: | 38 nC |
Minimum driftstemperatur: | - 55 grader Celsius |
Maksimal driftstemperatur: | + 150 °C |
Pd - Effekttap: | 360 W |
Kanalmodus: | Forbedring |
Handelsnavn: | HiPerFET |
Emballasje: | Rør |
Merke: | IXYS |
Konfigurasjon: | Enkelt |
Høsttid: | 10 ns |
Fremovertranskonduktans - Min: | 8 S |
Produkttype: | MOSFET |
Stigningstid: | 35 ns |
Serie: | 650V Ultra Junction X2 |
Fabrikkpakkemengde: | 50 |
Underkategori: | MOSFET-er |
Typisk forsinkelsestid for utkobling: | 33 ns |
Typisk forsinkelsestid for påslag: | 38 ns |
Enhetsvekt: | 0,139332 unser |