NTMFS4C029NT1G MOSFET GRØF 6 30V NCH
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SO-8FL-4 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 30 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 46 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 4,9 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2,2 V |
| Qg - Gatelading: | 18,6 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 23,6 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 7 ns |
| Foroverkonduktans - Min: | 43 S |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 34 ns |
| Serie: | NTMFS4C029N |
| Fabrikkpakkemengde: | 1500 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 14 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 9 ns |
| Enhetsvekt: | 0,026455 oz |
• Lav RDS(på) for å minimere ledningstap
• Lav kapasitans for å minimere drivertap
• Optimalisert portlading for å minimere byttetap
• Disse enhetene er Pb−frie, Halogenfrie/BFR-frie og er RoHS-kompatible
• CPU Power Delivery
• DC−DC-omformere
