VNS1NV04DPTR-E Gatedrivere OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Produktbeskrivelse
Produktattributt | Attributtverdi |
Produsent: | STMicroelectronics |
Produktkategori: | Portførere |
Produkt: | MOSFET-portdrivere |
Type: | Lavside |
Monteringsstil: | SMD/SMT |
Pakke / Etui: | SOIC-8 |
Antall sjåfører: | 2 Sjåfør |
Antall utganger: | 2 Utgang |
Utgangsstrøm: | 1,7 A |
Forsyningsspenning - Maks: | 24 V |
Stigningstid: | 500 ns |
Høsttid: | 600 ns |
Minimum driftstemperatur: | - 40 grader Celsius |
Maksimal driftstemperatur: | + 150 °C |
Serie: | VNS1NV04DP-E |
Kvalifikasjon: | AEC-Q100 |
Emballasje: | Hjul |
Emballasje: | Klipp av tape |
Emballasje: | Musehjul |
Merke: | STMicroelectronics |
Fuktighetsfølsom: | Ja |
Driftsstrøm: | 150 uA |
Produkttype: | Portførere |
Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
Underkategori: | PMIC - Strømstyrings-IC-er |
Teknologi: | Si |
Enhetsvekt: | 0,005291 unser |
♠ OMNIFET II helautomatisk beskyttet Power MOSFET
VNS1NV04DP-E er en enhet som består av to monolittiske OMNIFET II-brikker i en standard SO-8-kapsling. OMNIFET II er designet med STMicroelectronics VIPower™ M0-3-teknologi: de er ment for erstatning av standard Power MOSFET-er fra DC opptil 50 kHz-applikasjoner. Innebygd termisk avstengning, lineær strømbegrensning og overspenningsklemme beskytter brikken i tøffe miljøer.
Feiltilbakemelding kan oppdages ved å overvåke spenningen på inngangspinnen.
• Lineær strømbegrensning
• Termisk avstengning
• Kortslutningsbeskyttelse
• Integrert klemme
• Lav strøm trekkes fra inngangspinnen
• Diagnostisk tilbakemelding via inngangspinne
• ESD-beskyttelse
• Direkte tilgang til gaten til kraft-MOSFET-en (analog drift)
• Kompatibel med standard effekt-MOSFET
• I samsvar med det europeiske direktivet 2002/95/EF