VNS1NV04DPTR-E Gatedrivere OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Gate-drivere |
| Produkt: | MOSFET Gate-drivere |
| Type: | Lavside |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SOIC-8 |
| Antall sjåfører: | 2 Driver |
| Antall utganger: | 2 Utgang |
| Utgangsstrøm: | 1,7 A |
| Tilførselsspenning - Maks: | 24 V |
| Oppgangstid: | 500 ns |
| Fall tid: | 600 ns |
| Minimum driftstemperatur: | -40 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E |
| Kvalifikasjon: | AEC-Q100 |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | STMicroelectronics |
| Fuktighetssensitiv: | Ja |
| Driftsforsyningsstrøm: | 150 uA |
| Produkttype: | Gate-drivere |
| Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Power Management ICer |
| Teknologi: | Si |
| Enhetsvekt: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II fullstendig autobeskyttet Power MOSFET
VNS1NV04DP-E er en enhet formet av to monolittiske OMNIFET II-brikker plassert i en standard SO-8-pakke.OMNIFET II er designet i STMicroelectronics VIPower™ M0-3-teknologi: de er ment for erstatning av standard Power MOSFET-er fra DC opp til 50KHz-applikasjoner.Innebygd termisk avstengning, lineær strømbegrensning og overspenningsklemme beskytter brikken i tøffe miljøer.
Feiltilbakemelding kan oppdages ved å overvåke spenningen på inngangspinnen.
• Lineær strømbegrensning
• Termisk avstengning
• Kortslutningsbeskyttelse
• Integrert klemme
• Lav strøm trukket fra inngangspinnen
• Diagnostisk tilbakemelding via inngangspinne
• ESD-beskyttelse
• Direkte tilgang til porten til power-mosfet (analog kjøring)
• Kompatibel med standard strømmofet
• I samsvar med det europeiske direktivet 2002/95/EC
