VNS3NV04DPTR-E Gatedrivere OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Portførere |
| RoHS-kode: | Detaljer |
| Produkt: | MOSFET-portdrivere |
| Type: | Lavside |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke / Etui: | SOIC-8 |
| Antall sjåfører: | 2 Sjåfør |
| Antall utganger: | 2 Utgang |
| Utgangsstrøm: | 5 A |
| Forsyningsspenning - Maks: | 24 V |
| Stigningstid: | 250 ns |
| Høsttid: | 250 ns |
| Minimum driftstemperatur: | - 40 grader Celsius |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 °C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Kvalifikasjon: | AEC-Q100 |
| Emballasje: | Hjul |
| Emballasje: | Klipp av tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | STMicroelectronics |
| Fuktighetsfølsom: | Ja |
| Driftsstrøm: | 100 uA |
| Produkttype: | Portførere |
| Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Strømstyrings-IC-er |
| Teknologi: | Si |
| Enhetsvekt: | 0,005291 unser |
♠ OMNIFET II helautomatisk beskyttet Power MOSFET
VNS3NV04DP-E-enheten består av to monolittiske brikker (OMNIFET II) i en standard SO-8-pakke. OMNIFET II er designet med STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3-teknologi og er beregnet for erstatning av standard Power MOSFET-er i applikasjoner på opptil 50 kHz DC.
Innebygd termisk avstengning, lineær strømbegrensning og overspenningsklemme beskytter brikken i tøffe miljøer.
Feiltilbakemelding kan oppdages ved å overvåke spenningen på inngangspinnen
■ ECOPACK®: blyfri og RoHS-kompatibel
■ Bilkvalitet: samsvar med AEC-retningslinjene
■ Lineær strømbegrensning
■ Termisk avstengning
■ Kortslutningsbeskyttelse
■ Integrert klemme
■ Lav strøm fra inngangspinnen
■ Diagnostisk tilbakemelding via inngangspinne
■ ESD-beskyttelse
■ Direkte tilgang til porten til Power MOSFET (analog drift)
■ Kompatibel med standard Power MOSFET
