VNS3NV04DPTR-E Gate-drivere OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | STMicroelectronics |
| Produktkategori: | Gate-drivere |
| RoHS: | Detaljer |
| Produkt: | MOSFET Gate-drivere |
| Type: | Lavside |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SOIC-8 |
| Antall sjåfører: | 2 Driver |
| Antall utganger: | 2 Utgang |
| Utgangsstrøm: | 5 A |
| Tilførselsspenning - Maks: | 24 V |
| Oppgangstid: | 250 ns |
| Fall tid: | 250 ns |
| Minimum driftstemperatur: | -40 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Kvalifikasjon: | AEC-Q100 |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | STMicroelectronics |
| Fuktighetssensitiv: | Ja |
| Driftsforsyningsstrøm: | 100 uA |
| Produkttype: | Gate-drivere |
| Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
| Underkategori: | PMIC - Power Management ICer |
| Teknologi: | Si |
| Enhetsvekt: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II fullstendig autobeskyttet Power MOSFET
VNS3NV04DP-E-enheten består av to monolittiske brikker (OMNIFET II) plassert i en standard SO-8-pakke.OMNIFET II er utformet med STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3-teknologi og er beregnet for erstatning av standard Power MOSFET-er i opptil 50 kHz DC-applikasjoner.
Innebygd termisk avstengning, lineær strømbegrensning og overspenningsklemme beskytter brikken i tøffe omgivelser.
Feiltilbakemelding kan oppdages ved å overvåke spenningen på inngangspinnen
■ ECOPACK®: blyfri og RoHS-kompatibel
■ Automotive Grade: samsvar med AEC-retningslinjene
■ Lineær strømbegrensning
■ Termisk avstengning
■ Kortslutningsbeskyttelse
■ Integrert klemme
■ Lav strøm trukket fra inngangspinnen
■ Diagnostisk tilbakemelding via inngangspinne
■ ESD-beskyttelse
■ Direkte tilgang til porten til Power MOSFET (analog kjøring)
■ Kompatibel med standard Power MOSFET
