CSD18563Q5A MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | Texas Instruments |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | VSONP-8 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 60 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 100 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 6,8 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,7 V |
| Qg - Gatelading: | 15 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 116 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Handelsnavn: | NexFET |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | Texas Instruments |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 1,7 ns |
| Høyde: | 1 mm |
| Lengde: | 5,75 mm |
| Produkt: | Strøm MOSFET-er |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 6,3 ns |
| Serie: | CSD18563Q5A |
| Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 N-kanals Power MOSFET |
| Type: | 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET-er |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 11,4 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 3,2 ns |
| Bredde: | 4,9 mm |
| Enhetsvekt: | 0,003034 oz |
♠ CSD18563Q5A 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
Denne 5,7 mΩ, 60 V SON 5 mm × 6 mm NexFET™-strøm-MOSFET ble designet for å pare med CSD18537NQ5A-kontroll-FET og fungere som synkroniserings-FET for en komplett industriell buck-konverteringsbrikkesettløsning.
• Ultra-Lav Qg og Qgd
• Myk kroppsdiode for redusert ringing
• Lav termisk motstand
• Skredvurdert
• Logisk nivå
• Pb-fri terminalplating
• RoHS-kompatibel
• Halogenfri
• SON 5 mm × 6 mm plastpakke
• Low-Side FET for Industrial Buck Converter
• Synkron likeretter på sekundærsiden
• Motor kontroll
