Produkt detalj
Produktetiketter
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | DPAK-3 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 600 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 1,7 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 1,9 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Qg - Gatelading: | 8,3 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 114 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Handelsnavn: | UniFET |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 12,8 ns |
| Foroverkonduktans - Min: | 3.4 S |
| Høyde: | 2,39 mm |
| Lengde: | 6,73 mm |
| Produkt: | MOSFET |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 15,1 ns |
| Serie: | FDD4N60NZ |
| Fabrikkpakkemengde: | 2500 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 30,2 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 12,7 ns |
| Bredde: | 6,22 mm |
| Enhetsvekt: | 0,011640 oz |
Tidligere: NCP431BVSNT1G Spenningsreferanser ANA 2,5V PROG SHUNT REF Neste: NCV8402ASTT1G MOSFET 42V 2,0A
