FDMC6679AZ MOSFET -30V P-Channel Power Trench
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | Power-33-8 |
| Transistor polaritet: | P-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 30 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 20 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 10 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,8 V |
| Qg - Gatelading: | 37 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 41 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Handelsnavn: | PowerTrench |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Foroverkonduktans - Min: | 46 S |
| Høyde: | 0,8 mm |
| Lengde: | 3,3 mm |
| Produkttype: | MOSFET |
| Serie: | FDMC6679AZ |
| Fabrikkpakkemengde: | 3000 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 P-kanal |
| Bredde: | 3,3 mm |
| Enhetsvekt: | 0,005832 oz |
♠ FDMC6679AZ P-Channel PowerTrench® MOSFET -30 V, -20 A, 10 mΩ
FDMC6679AZ er designet for å minimere tap i lastbryterapplikasjoner.Fremskritt innen både silisium- og pakketeknologier har blitt kombinert for å tilby den laveste rDS(on)- og ESD-beskyttelsen.
• Maks rDS(on) = 10 mΩ ved VGS = -10 V, ID = -11,5 A
• Maks rDS(on) = 18 mΩ ved VGS = -4,5 V, ID = -8,5 A
• HBM ESD-beskyttelsesnivå på 8 kV typisk (merknad 3)
• Utvidet VGSS-område (-25 V) for batteriapplikasjoner
• Høyytelses grøfteteknologi for ekstremt lav rDS(on)
• Høy effekt og strømhåndteringsevne
• Oppsigelsen er blyfri og RoHS-kompatibel
• Last bryter i Notebook og Server
• Strømstyring for bærbare batterier
