FGH40T120SMD-F155 IGBT-transistorer 1200V 40A feltstoppgrøft IGBT
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | IGBT transistorer |
| Teknologi: | Si |
| Pakke/etui: | TO-247G03-3 |
| Monteringsstil: | Gjennom hull |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Samler- emitterspenning VCEO Maks: | 1200 V |
| Samler-emitter metningsspenning: | 2 V |
| Maksimal portemitterspenning: | 25 V |
| Kontinuerlig samlestrøm ved 25 C: | 80 A |
| Pd - Effekttap: | 555 W |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 175 C |
| Serie: | FGH40T120SMD |
| Emballasje: | Rør |
| Merke: | onsemi / Fairchild |
| Kontinuerlig samlestrøm Ic Max: | 40 A |
| Gate-emitter lekkasjestrøm: | 400 nA |
| Produkttype: | IGBT transistorer |
| Fabrikkpakkemengde: | 30 |
| Underkategori: | IGBT-er |
| Del # Aliaser: | FGH40T120SMD_F155 |
| Enhetsvekt: | 0,225401 oz |
♠ IGBT - Feltstopp, grøft 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Ved å bruke nyskapende feltstoppgrøft IGBT-teknologi, tilbyr ON Semiconductors nye serie med feltstoppgrøft-IGBTer den optimale ytelsen for hardt svitsjingsapplikasjoner som solomformer, UPS, sveiser og PFC-applikasjoner.
• FS Trench Technology, positiv temperaturkoeffisient
• Høyhastighetsveksling
• Lav metningsspenning: VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100 % av delene testet for ILM(1)
• Høy inngangsimpedans
• Disse enhetene er Pb−frie og er RoHS-kompatible
• Solar Inverter, Welder, UPS & PFC applikasjoner
