MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2.1A N-Kanal
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SOT-23-3 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 30 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 2.1 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 100 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Qg - Gatelading: | 6 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 690 mW |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 8 ns |
| Høyde: | 0,94 mm |
| Lengde: | 2,9 mm |
| Produkt: | MOSFET Lite signal |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 1 ns |
| Serie: | MGSF1N03L |
| Fabrikkpakkemengde: | 3000 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Type: | MOSFET |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 16 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 2,5 ns |
| Bredde: | 1,3 mm |
| Enhetsvekt: | 0,000282 oz |
♠ MOSFET – Enkel, N-kanal, SOT-23 30 V, 2,1 A
Disse miniatyroverflatemonterte MOSFET-ene med lav RDS(på) sikrer minimalt strømtap og sparer energi, noe som gjør disse enhetene ideelle for bruk i romsensitive strømstyringskretser.Typiske bruksområder er dc−dc-omformere og strømstyring i bærbare og batteridrevne produkter som datamaskiner, skrivere, PCMCIA-kort, mobiltelefoner og trådløse telefoner.
• Lav RDS(på) gir høyere effektivitet og forlenger batterilevetiden
• Miniatyr SOT−23 overflatemonteringspakke sparer bordplass
• MV-prefiks for biler og andre applikasjoner som krever unike krav til sted og kontrollendring;AEC−Q101-kvalifisert og PPAP-kompatible
• Disse enhetene er Pb−frie og er RoHS-kompatible
