NTMFS5C628NLT1G MOSFET GRØF 6 60V NFET
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SO-8FL-4 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 60 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 150 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 2,4 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1,2 V |
| Qg - Gatelading: | 52 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 175 C |
| Pd - Effekttap: | 3,7 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Fall tid: | 70 ns |
| Foroverkonduktans - Min: | 110 S |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 150 ns |
| Fabrikkpakkemengde: | 1500 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 N-kanal |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 28 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 15 ns |
| Enhetsvekt: | 0,006173 oz |
• Lite fotavtrykk (5×6 mm) for kompakt design
• Lav RDS(på) for å minimere ledningstap
• Lav QG og kapasitans for å minimere sjåførtap
• Disse enhetene er Pb−frie og er RoHS-kompatible
