NVTFS5116PLTWG MOSFET Enkel P-kanal 60V,14A,52mohm
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | WDFN-8 |
| Transistor polaritet: | P-kanal |
| Antall kanaler: | 1 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 60 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 14 A |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 52 mOhm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Qg - Gatelading: | 25 nC |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 175 C |
| Pd - Effekttap: | 21 W |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Kvalifikasjon: | AEC-Q101 |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi |
| Konfigurasjon: | Enkelt |
| Foroverkonduktans - Min: | 11 S |
| Produkttype: | MOSFET |
| Serie: | NVTFS5116PL |
| Fabrikkpakkemengde: | 5000 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 1 P-kanal |
| Enhetsvekt: | 0,001043 oz |
• Lite fotavtrykk (3,3 x 3,3 mm) for kompakt design
• Lav RDS(på) for å minimere ledningstap
• Lav kapasitans for å minimere drivertap
• NVTFS5116PLWF − Fuktbare flanker Produkt
• AEC−Q101-kvalifisert og PPAP-kompatible
• Disse enhetene er Pb−frie og er RoHS-kompatible
