NTJD4001NT1G MOSFET 30V 250mA Dual N-Channel
♠ Produktbeskrivelse
| Produktattributt | Attributtverdi |
| Produsent: | onsemi |
| Produktkategori: | MOSFET |
| RoHS: | Detaljer |
| Teknologi: | Si |
| Monteringsstil: | SMD/SMT |
| Pakke/etui: | SC-88-6 |
| Transistor polaritet: | N-kanal |
| Antall kanaler: | 2 kanal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Spenning: | 30 V |
| Id - Kontinuerlig avløpsstrøm: | 250 mA |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 1,5 Ohm |
| Vgs - Gate-Source Spenning: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Qg - Gatelading: | 900 stk |
| Minimum driftstemperatur: | -55 C |
| Maksimal driftstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Effekttap: | 272 mW |
| Kanalmodus: | Forbedring |
| Emballasje: | Spole |
| Emballasje: | Klipp tape |
| Emballasje: | Musehjul |
| Merke: | onsemi |
| Konfigurasjon: | Dobbel |
| Fall tid: | 82 ns |
| Foroverkonduktans - Min: | 80 mS |
| Høyde: | 0,9 mm |
| Lengde: | 2 mm |
| Produkt: | MOSFET Lite signal |
| Produkttype: | MOSFET |
| Oppgangstid: | 23 ns |
| Serie: | NTJD4001N |
| Fabrikkpakkemengde: | 3000 |
| Underkategori: | MOSFET-er |
| Transistor type: | 2 N-kanal |
| Typisk utkoblingsforsinkelse: | 94 ns |
| Typisk oppstartsforsinkelse: | 17 ns |
| Bredde: | 1,25 mm |
| Enhetsvekt: | 0,010229 oz |
• Lav portlading for rask veksling
• Lite fotavtrykk − 30 % mindre enn TSOP−6
• ESD-beskyttet port
• AEC Q101 kvalifisert − NVTJD4001N
• Disse enhetene er Pb−frie og er RoHS-kompatible
• Bryter for lav sidebelastning
• Li−ion-batterileverte enheter − mobiltelefoner, PDAer, DSC
• Bukk-omformere
• Nivåskift
